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Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ?

Publié le lundi 4 février 2008 à 15:34 sur Futura-Sciences

Une mémoire à changement de phase — PRam — est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites. A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori...

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vote Tags : bits, cellule, Flash, mémoire, successeur

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